Efeitos de Campos Elétricos em nanoestruturas semicondutoras baseadas no grupo III-V

Efeitos de Campos Elétricos em nanoestruturas semicondutoras baseadas no grupo III-V

Discente: 
Thiago Freire de Oliveira
Orientador: 
Sara Cristina Pinto Rodrigues

Nas últimas décadas houve um aumento no interesse em estudar materiais do grupo III-V (GaN, GaAs, InN, InAs) e suas ligas na fabricação de dispositivos optoeletrônicos e de dispositivos eletrônicos de alta potência e alta temperatura. Os nitretos, em sua forma cristalina, têm duas fases: cubica (c), zincblende, e hexagonal (h), wurtizita. 

Estes materiais, também conhecidos como semicondutores diluí-
dos de nitretos, têm diversas aplicações na fabricação de transistores bipolares e outros.
Neste trabalho estudamos as propriedades eletrônicas e ópticas de nanoestruturas semicondutoras
usando o método ~k ~p, dentro do modelo 8 8 de Kane, generalizado para tratar diferentes materiais. A solução é obtida auto-consistentemente através da solução da equação da massa efetiva junto com a equação de Poisson. Os efeitos de tensão e troca correlação são levados em conta. Nós consideramos também nos cálculos um campo elétrico externo ao longo da direção de crescimento.

Além disso, discutimos como
os potenciais de Coulomb e troca correlação inuenciam nas transições eletrônicas. Estes
resultados podem explicar diversos aspectos importantes sobre as propriedades ópticas
nestes sistemas e podem ser um guia para futuros experimentos.